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Update time：2022-12-02 10:46
Index > Product > 罗姆半导体（上海）有限公司 > MOSFETs > 车载MOSFET RTL035N03FRA
车载MOSFET RTL035N03FRA

车载MOSFET RTL035N03FRA

罗姆半导体（上海）有限公司 - Company profile Click MOSFETs
Drain-Source Voltage VDSS [V]30Drain Current ID [A]3.5RDS(on)[O] VGS=Drive (Typ.)0.056 View details 》
  • RTL035N03FRA
    encapsulation：RTL035N03FRA
  • 238
    browsers：238
  • In production
    cycle：In production
  • 2021
    time：2021
  • 1.00
    Reference price： 1.00
by Jihzx.com

车载MOSFET RTL035N03FRA Manufacturer introduction

供应商名称：罗姆半导体（上海）有限公司

车载MOSFET RTL035N03FRA Data specification parameters

parameter list
technical parameter
SC-113DA
Package parameters
SOT-363T
Dimensions
Meet the standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Other parameters
Product Atlas
车载MOSFET RTL035N03FRA
车载MOSFETalbum
Product overview
null
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车载MOSFET RTL035N03FRA Related devices

Device diagram
model
manufacturer
Name
encapsulation
describe
Price
PDF
silicon carbide S2206
silicon carbide
S2206
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]120
1.00
silicon carbide S2301
silicon carbide
S2301
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80
1.00
silicon carbide S2303
silicon carbide
S2303
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80
1.00
silicon carbide S2305
silicon carbide
S2305
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450
1.00
silicon carbide S2306
silicon carbide
S2306
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160
1.00
silicon carbide S2307
silicon carbide
S2307
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45
1.00
silicon carbide S2308
silicon carbide
S2308
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280
1.00
silicon carbide S4001
silicon carbide
S4001
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30
1.00
silicon carbide S4002
silicon carbide
S4002
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22
1.00
silicon carbide S4003
silicon carbide
S4003
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17
1.00
Tool

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