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Update time：2022-12-02 10:46

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车载MOSFET RSS095N05HZG

罗姆半导体（上海）有限公司 - Company profile Click MOSFETs

Drain-Source Voltage VDSS [V]45Drain Current ID [A]9.5RDS(on)[O] VGS=Drive (Typ.)0.015 View details 》

RSS095N05HZG
encapsulation：RSS095N05HZG
187
browsers：187
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

车载MOSFET RSS095N05HZG Manufacturer introduction

车载MOSFET RSS095N05HZG Data specification parameters

parameter list

technical parameter

Package parameters

SOP8

Dimensions

Meet the standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Other parameters

Product Atlas

车载MOSFETalbum

Product overview

null

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encapsulation

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silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]120

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17

1.00

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