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Update time：2022-12-02 10:46

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车载MOSFET R8008ANJFRG

车载MOSFET R8008ANJFRG

罗姆半导体（上海）有限公司 - Company profile Click MOSFETs

Drain-Source Voltage VDSS [V]800Drain Current ID [A]8RDS(on)[O] VGS=Drive (Typ.)0.79 View details 》

R8008ANJFRG
encapsulation：R8008ANJFRG
169
browsers：169
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

车载MOSFET R8008ANJFRG Manufacturer introduction

车载MOSFET R8008ANJFRG Data specification parameters

parameter list

technical parameter

SC-83

Package parameters

TO-263 (D2PAK)

Dimensions

Meet the standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Other parameters

Product Atlas

车载MOSFET R8008ANJFRG

车载MOSFETalbum

Product overview

null

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车载MOSFET R8008ANJFRG Data book

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车载MOSFET R8008ANJFRG Related devices

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model

manufacturer

Name

encapsulation

describe

Price

PDF

silicon carbide S2206

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]120

1.00

silicon carbide S2301

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide S2303

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide S2305

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450

1.00

silicon carbide S2306

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160

1.00

silicon carbide S2307

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45

1.00

silicon carbide S2308

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280

1.00

silicon carbide S4001

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30

1.00

silicon carbide S4002

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22

1.00

silicon carbide S4003

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17

1.00

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