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Update time：2022-12-02 10:46

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车载MOSFET RQ1E070RPHZG

罗姆半导体（上海）有限公司 - Company profile Click MOSFETs

Drain-Source Voltage VDSS [V]-30Drain Current ID [A]-7RDS(on)[O] VGS=Drive (Typ.)0.019 View details 》

RQ1E070RPHZG
encapsulation：RQ1E070RPHZG
162
browsers：162
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

车载MOSFET RQ1E070RPHZG Manufacturer introduction

车载MOSFET RQ1E070RPHZG Data specification parameters

parameter list

technical parameter

Package parameters

TSMT8

Dimensions

Meet the standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Other parameters

Product Atlas

车载MOSFETalbum

Product overview

null

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encapsulation

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silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]120

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17

1.00

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