集合中芯网jihzxIC-电子元器件查询,电子元器件搜索引擎
Category
Category List Product List
English
Login
Register
Update time：2022-12-02 09:20
Index > Product > 罗姆半导体（上海）有限公司 > MOSFETs > 190-800V功率MOSFET RCX511N25
190-800V功率MOSFET RCX511N25

190-800V功率MOSFET RCX511N25

罗姆半导体（上海）有限公司 - Company profile Click MOSFETs
Drain-Source Voltage VDSS [V]250Drain Current ID [A]51RDS(on)[O] VGS=Drive (Typ.)0.048 View details 》
  • RCX511N25
    encapsulation：RCX511N25
  • 139
    browsers：139
  • In production
    cycle：In production
  • 2021
    time：2021
  • 1.00
    Reference price： 1.00
by Jihzx.com

190-800V功率MOSFET RCX511N25 Manufacturer introduction

供应商名称：罗姆半导体（上海）有限公司

190-800V功率MOSFET RCX511N25 Data specification parameters

parameter list
technical parameter
Available: K6501
Package parameters
TO-220FM
Dimensions
Meet the standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Other parameters
Product Atlas
190-800V功率MOSFET RCX511N25
190-800V功率MOSFETalbum
Product overview
null
View all

190-800V功率MOSFET RCX511N25 Data book

Please login to view and download the data book

190-800V功率MOSFET RCX511N25 Related devices

Device diagram
model
manufacturer
Name
encapsulation
describe
Price
PDF
silicon carbide S2206
silicon carbide
S2206
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]120
1.00
silicon carbide S2301
silicon carbide
S2301
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80
1.00
silicon carbide S2303
silicon carbide
S2303
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80
1.00
silicon carbide S2305
silicon carbide
S2305
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450
1.00
silicon carbide S2306
silicon carbide
S2306
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160
1.00
silicon carbide S2307
silicon carbide
S2307
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45
1.00
silicon carbide S2308
silicon carbide
S2308
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280
1.00
silicon carbide S4001
silicon carbide
S4001
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30
1.00
silicon carbide S4002
silicon carbide
S4002
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22
1.00
silicon carbide S4003
silicon carbide
S4003
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17
1.00
Tool

Scan code wechat

Scan code official account

© Integrating Chinese Chips | Chengdu Jiji Industrial Technology Co., Ltd | 蜀ICP备20010335号-2 Phone：151-0288-7996 Email：jihezhongxinwang@163.com