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Update time：2022-12-02 09:20

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190-800V功率MOSFET RCJ510N25

罗姆半导体（上海）有限公司 - Company profile Click MOSFETs

Drain-Source Voltage VDSS [V]250Drain Current ID [A]51RDS(on)[O] VGS=Drive (Typ.)0.048 View details 》

RCJ510N25
encapsulation：RCJ510N25
133
browsers：133
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

190-800V功率MOSFET RCJ510N25 Manufacturer introduction

190-800V功率MOSFET RCJ510N25 Data specification parameters

parameter list

technical parameter

Package parameters

TO-263 (D2PAK)

Dimensions

Meet the standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Other parameters

Product Atlas

190-800V功率MOSFETalbum

Product overview

null

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190-800V功率MOSFET RCJ510N25 Data book

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silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

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1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

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1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17

1.00

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