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Update time：2022-12-01 09:38

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12-150V MOSFET UT6K30

12-150V MOSFET UT6K30

罗姆半导体（上海）有限公司 - Company profile Click MOSFETs

Drain-Source Voltage VDSS [V]60Drain Current ID [A]3 View details 》

UT6K30
encapsulation：UT6K30
149
browsers：149
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

12-150V MOSFET UT6K30 Manufacturer introduction

12-150V MOSFET UT6K30 Data specification parameters

parameter list

technical parameter

Standard

Package parameters

DFN2020-8D

Dimensions

Meet the standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Other parameters

Product Atlas

12-150V MOSFET UT6K30

12-150V MOSFETalbum

Product overview

null

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12-150V MOSFET UT6K30 Related devices

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Name

encapsulation

describe

Price

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silicon carbide S2206

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]120

1.00

silicon carbide S2301

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

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1.00

silicon carbide S2303

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide S2305

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450

1.00

silicon carbide S2306

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160

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silicon carbide S2307

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45

1.00

silicon carbide S2308

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280

1.00

silicon carbide S4001

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30

1.00

silicon carbide S4002

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22

1.00

silicon carbide S4003

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17

1.00

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